InPファンドリーサービス専業メーカー・SMART Photonics社から
フォトニクスICへの最善のアプロ—チのご案内

• InP半絶縁性基板の利用が可能になりました。　大幅な、高周波電気特性の改善が図れます。
• 半絶縁InP基板上にレーザー光源、光アンプ、フォトディテクターと導波路光回路を集積する次世代フォトニックICがPDKを活用して実現できます。
• 25Gbps以上の高速動作可能なフォトニックICの実現が可能です。
• DBRレーザー光源、半導体光アンプ、マッハツェンダー光変調器、リング共振器などの豊富なビルディングブロックを組み合わせることで高速かつ様々な変調方式・多重化方式PICが構成できます。
• 波長チューニング幅75nmの波長可変光源が可能となり、スペクトル線幅100kHzの狭線幅光源の実現ができます。

詳細はIC Design Manualに掲載しています。
※別途NDA締結が必要となります。

詳しい情報、ご不明点は、 こちらまで